Các nhà nghiên cứu tại Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) vừa mới cho biết họ đã khám phá ra vật liệu mới gọi là amorphous boron nitride (a-BN). Đây là kết quả của sự hợp tác với Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST) và Đại học University of Cambridge. Qua đó cho thấy tiềm năng của việc đưa ngành bóng bán dẫn bước sang một chương mới.
Trong thời gian gần đây, SAIT đang tích cực nghiên cứu và phát triển các vật liệu 2D (vật liệu kết tinh với một lớp nguyên lớp), cụ thể ở đây là graphene. Họ đã đạt được một số thành tựu mang tính đột phá, chẳng hạn như phát triển được transistor graphene và tìm được cách sản xuất graphene có diện tích lớn, single-crystal với quy mô như tấm wafer. Bên cạnh đó, SAIT còn tìm thêm phương án để thúc đẩy việc thương mại hóa của vật liệu này.
Còn về vật liệu mới được khám phá – amorphous boron nitride (a-BN) – thì nó bao gồm các nguyên tử Bo (B) và Nitơ (N) với cấu trúc phân tử không đồng nhất (amorphous molecule structure). Mặc dù a-BN có nguồn gốc từ graphene trắng (bom gồm Bo và Nitơ với cấu trúc lục giác), cấu trúc phân tử của a-BN lại khác biệt hoàn toàn so với graphene trắng.
a-BN có hằng số điện môi (dielectric constant) cực kì thấp, chỉ 1,78, và có thể được dùng để làm vật liệu cách ly kết nối để hạn chế nhiễu điện. Ngoài ra thì nó có thể được sản xuất với quy mô như tấm wafer với nhiệt độ chỉ 400oC. Vì thế nên dự kiến a-BN sẽ được áp dụng rộng rãi đối với các chất bán dẫn (semiconductor) như các giải pháp cho DRAM và NAND chẳng hạn.
Nguồn: TechPowerUp
