Trang báo Taiwan Economic Daily vừa mới cho biết TSMC đã bứt phá giới hạn với tiến trình 2 nm. Bước tiến này cũng giúp TSMC tự tin hơn khi đưa tiến trình 2 nm vào khâu “risk production” dựa tên công nghệ GAA (Gate-All-Around) trong năm 2023. Ngoài ra, nhiều báo cáo cũng cho biết TSMC sẽ dần dần chuyển từ kiến trúc FinFET sang kiến trúc MBCFET (multi-bridge channel field effect transistor). Đây là thành quả của 1 năm sau khi TSMC lập ra đội ngũ nội bộ nhằm phát triển tiến trình 2 nm.
MBCFET được xây dựng dựa trên kiến trúc GAAFET bằng cách dùng bóng bán dẫn Nanowire field-effect và thay đổi nó để trở thành Nanosheet. Mấu chốt ở đây là mở rộng bóng bán dẫn field-effect theo 3 chiều không gian. Với thiết kế này thì mạch điện sẽ dễ kiểm soát hơn và giảm tình trạng rò điện. TSMC không phải là bên duy nhất sử dụng triết lý thiết kế này; Samsung cũng đang có kế hoạch phát triển một biến thể của thiết kế này để áp dụng lên tiến trình 3 nm của họ.
Và theo lẽ thường tình, tiến trình càng nhỏ thì chi phí để sản xuất sẽ càng lớn. Với tiến trình 5 nm là đã ngốn 476 triệu USD rồi, và Samsung cũng cho biết tiến trình 3 nm GAA của họ sẽ vượt ngưỡng 500 triệu USD. Do đó, tiến trình 2 nm sẽ còn tốn kém nhiều hơn như vậy nữa.
Nguồn: TechPowerUp
