Ngoài ra thì nó còn xếp chồng bóng bán dẫn lên nhau giúp tiết kiệm không gian nữa.
Samsung đã vạch ra kế hoạch sản xuất chip với tiến trình 3nm và quyết tâm đạt được mục tiêu này trong năm 2022. Tiến trình này sẽ mang đến nhiều tiến bộ cho công nghệ bóng bán dẫn, chẳng hạn như Samsung đang nghiên cứu công nghệ Gate-All-Around FET (GAAFET) giúp kiểm soát các kênh bán dẫn (transistor channel) tốt hơn, ngăn tình trạng rò rỉ thường hay xuất hiện ở các tiến trình nhỏ. Mới đây, Samsung tiếp tục cung cấp thêm thông tin về công nghệ Multi Bridge Channel FET (MBCFET) dành cho tiến trình 3nm.
Đầu tiên, MCBFET là một phần của GAAFET, tức GAAFET đúng hơn là phân loại (class) gồm nhiều ý tưởng dựa trên nó. Về mặt hiệu năng thì Samsung cho biết MCBFET sẽ tiết kiệm điện hơn 50% và có hiệu năng cao hơn 30%. Ngoài ra thì Samsung còn dự đoán rằng phần không gian mà một bóng bán dẫn chiếm dụng sẽ được giảm đi 45%, từ đó giúp tăng mật độ bóng bán dẫn. Tất cả những con số này đều được so sánh với một tiến trình 7nm chưa được xác định cụ thể, nhưng nhiều khả năng thì đây là tiến trình FinFET của Samsung.
Công nghệ MCBFET còn cho phép xếp chồng bóng bán dẫn lên nhau, giúp tiết kiệm không gian rất nhiều so với FinFET thông thường. Bên cạnh đó, chiều ngang của bóng bán dẫn có thể thay đổi linh hoạt tùy theo yêu cầu, từ đó giúp nhà thiết kế chip điều chỉnh lại cho phù hợp với mục đích hiệu năng cao hoặc tiết kiệm điện.
Nguồn: TechPowerUp
