Sau khi sự kiện Flash Memory Summit kết thúc thì đây cũng là lúc chúng ta biết được rằng trong sắp tới sẽ có thêm SSD nhanh hơn với dung lượng lớn hơn. Cụ thể thì Andy Hsu – CEO của NEO Semiconductor – đã có buổi giới thiệu kiến trúc X-NAND, hứa hẹn sẽ mang đến hiệu năng cao gấp 3 lần so với chip flash QLC (quad level cell) khi xét về mặt hiệu năng đọc/ghi ngẫu nhiên; còn hiệu năng đọc tuần tự thì nó sẽ nhanh hơn đến 27 lần. Bên cạnh đó, nó cũng có kích thước nhỏ hơn rất nhiều, chỉ bằng 37% so với các cell 16-layer thông thường.
Hiện tại những chiếc SSD có mức giá dễ tiếp cận thường sẽ được trang bị chip QLC lẫn SLC (single level cell) để giữ mức hiệu năng ổn định. Dữ liệu trong SLC thì sẽ có tốc độ đọc/ghi nhanh, nhưng một khi sử dụng đến QLC (chiếm phần lớn SSD) thì hiệu năng sẽ giảm đáng kể. Và đây cũng chính là lúc X-NAND sẽ vào cuộc để xử lý vấn đề này.
Hsu cho biết kiến trúc X-NAND là một bước đột phá lớn trong việc thiết kế chip nhớ NAND flash. Bằng cách tận dụng dung lượng bộ nhớ đệm, chip X-NAND có thể đạt được mật độ giống QLC mà vẫn giữ tốc độ tương đương với SLC. Anh em nào muốn tìm hiểu kỹ hơn về công nghệ này thì có thể tham khảo tại đây nhé.
Tiếc một điều rằng vẫn chưa rõ khi nào X-NAND sẽ có mặt trên thị trường. Và hi vọng rằng lúc đó mảng gaming có thể khai thác được tiềm năng của công nghệ này để nâng tầm trải nghiệm của game thủ.
Nguồn: PC Gamer
