TSMC vừa cho biết tiến trình 3nm của họ dự kiến sẽ chứa được 250 triệu bóng bán dẫn trên một mm2. Tiến trình này được gọi là N3 và đây sẽ là thế hệ nối tiếp N5 (bao gồm cả những phiên bản cải thiện của nó). CEO của TSMC xác nhận rằng kế hoạch phát triển tiến trình 3nm đang diễn ra đúng lịch, sớm nhất thì nó sẽ được đưa vào sản xuất (risk production) vào năm 2021 và tiếp tục sản xuất với số lượng lớn vào nửa cuối năm 2022.
Điều đáng ngạc nhiên hơn cả là TSMC vẫn quyết định “bám trụ” với công nghệ FinFET cho N3 vì công nghệ này đã chín muồi, trong khi đó các nhà chuyên gia cho rằng tiến trình nhỏ hơn 5nm sẽ cần phải sử dụng công nghệ mới với cấu trúc và vật liệu tiên tiến hơn. Khi so sánh với N5, TSMC tuyên bố N3 sẽ có hiệu năng cao hơn 10-15% tại mức điện năng iso-power, hoặc sẽ tiết kiệm điện hơn 25-30% tại mức iso-speed.
Nguồn: TechPowerUp
